Nd:YVO4 – Diodepumpede solid-state lasere Utvalgt bilde

Nd:YVO4 – Diodepumpede faststofflasere

Kort beskrivelse:

Nd:YVO4 er en av de mest effektive laservertskrystallene som for tiden eksisterer for diodelaserpumpede solid-state lasere.Nd:YVO4 er en utmerket krystall for høyeffekts, stabile og kostnadseffektive diodepumpede solid-state lasere.

Forespørsel nå Send e-post til oss

Produkt detalj

Produktetiketter

produktbeskrivelse

Nd:YVO4 kan produsere kraftige og stabile IR, grønne, blå lasere med utformingen av Nd:YVO4 og frekvensdoblingskrystaller.For applikasjoner der det er behov for mer kompakt design og enkelt-langsgående modusutgang, viser Nd:YVO4 sine spesielle fordeler i forhold til andre ofte brukte laserkrystaller.

Fordeler med Nd:YVO4

● Lav laserterskel og høy hellingseffektivitet
● Stort stimulert emisjonstverrsnitt ved laserbølgelengde
● Høy absorpsjon over en bred pumpebølgelengdebåndbredde
● Optisk enakset og stor dobbeltbrytning sender ut polarisert laser
● Lav avhengighet av pumpebølgelengde og tendens til enkeltmodusutgang

Grunnleggende egenskaper

Atomtetthet	~1,37x1020 atomer/cm2
Krystallstruktur	Zircon Tetragonal, romgruppe D4h, a=b=7,118, c=6,293
Tetthet	4,22 g/cm2
Mohs hardhet	Glasslignende, 4,6 ~ 5
Termisk ekspansjon Koeffisient	αa=4,43x10-6/K,αc=11,37x10-6/K
Smeltepunkt	1810 ± 25 ℃
Lasende bølgelengder	914 nm, 1064 nm, 1342 nm
Termisk optisk Koeffisient	dna/dT=8,5x10-6/K, dnc/dT=3,0x10-6/K
Stimulert utslipp Tverrsnitt	25,0x10-19 cm2, @1064 nm
Fluorescerende Livstid	90 ms (ca. 50 ms for 2 atm% Nd-dopet) @ 808 nm
Absorpsjonskoeffisient	31,4 cm-1 ved 808 nm
Absorpsjonslengde	0,32 mm @ 808 nm
Indre tap	Mindre 0,1 % cm-1, @1064 nm
Få båndbredde	0,96 nm (257 GHz) ved 1064 nm
Polarisert laser Utslipp	parallelt med optisk akse (c-akse)
Diode pumpet Optisk til optisk Effektivitet	> 60 %
Sellmeier-ligning (for rene YVO4-krystaller)	no2(λ) =3,77834+0,069736/(λ2 -0,04724) -0,0108133λ2
	no2(λ) =4,59905+0,110534/(λ2 - 0,04813) -0,0122676λ2

Tekniske parametere

Nd dopantkonsentrasjon	0,2 ~ 3 atm %
Dopanttoleranse	innenfor 10 % av konsentrasjonen
Lengde	0,02 ~ 20 mm
Belegg spesifikasjon	AR @ 1064nm, R< 0,1 % og HT @ 808nm, T>95 %
	HR @ 1064nm, R>99,8 % & HT@ 808nm, T>9 %
	HR @ 1064nm, R>99,8 %, HR @ 532 nm, R>99 % & HT @ 808 nm, T>95 %
Orientering	a-kuttet krystallinsk retning (+/-5 ℃)
Dimensjonstoleranse	+/-0,1 mm (typisk), Høy presisjon +/-0,005 mm kan være tilgjengelig på forespørsel.
Bølgefrontforvrengning	<λ/8 ved 633nm
Overflatekvalitet	Bedre enn 20/10 Scratch/Dig per MIL-O-1380A
Parallellisme	< 10 buesekunder