LN–Q Switched Crystal

Kort beskrivelse:

LiNbO3 er mye brukt som elektrooptiske modulatorer og Q-brytere for Nd:YAG, Nd:YLF og Ti:Sapphire lasere samt modulatorer for fiberoptikk. Tabellen nedenfor viser spesifikasjonene til en typisk LiNbO3-krystall brukt som Q-switch med tverrgående EO-modulasjon.

Forespørsel nå Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Produktbeskrivelse

Lyset forplanter seg i z-aksen og elektrisk felt gjelder x-aksen. De elektrooptiske koeffisientene til LiNbO3 er: r33 = 32 pm/V, r31 = 10 pm/V, r22 = 6,8 pm/V ved lav frekvens og r33 = 31 pm/V, r31= 8,6 pm/V, r22 = 34. pm/V ved høy elektrisk frekvens. Halvbølgespenningen: Vπ=λd/(2no3r22L), rc=(ne/no)3r33-r13.LiNbO3 er også en god akusto-optisk krystall og brukes til overflate akustisk bølge (SAW) wafer og AO modulatorer. CASTECH leverer akustiske (SAW) LiNbO3-krystaller i wafere, as-cut boules, ferdige komponenter og spesialfremstilte elementer.

Grunnleggende egenskaper

Krystallstruktur	Enkeltkrystall, syntetisk
Tetthet	4,64 g/cm3
Smeltepunkt	1253ºC
Overføringsområde (50 % av total overføring)	0,32-5,2um (tykkelse 6 mm)
Molekylvekt	147,8456
Youngs modul	170GPa
Skjærmodul	68GPa
Bulkmodul	112GPa
Dielektrisk konstant	82@298K
Spaltningsfly	Ingen spalting
Poisson-forhold	0,25

Typiske SAW-egenskaper

Kutttype	SAW VelocityVs (m/s)	Elektromekanisk koblingsfaktor 2s (%)	Temperaturkoeffisient for hastighet TCV (10-6/oC)	Temperaturkoeffisient for forsinkelse TCD (10-6/oC)
127,86o YX	3970	5.5	-60	78
YX	3485	4.3	-85	95
Typiske spesifikasjoner
Typespesifikasjoner	Boule		Wafer
Diameter	Φ3"	Φ4"	Φ3"	Φ4"
Lengde tykkelse (mm)	≤100	≤50	0,35-0,5
Orientering	127,86°Y, 64°Y, 135°Y, X, Y, Z og andre kutt
Ref. Flat Orientering	X, Y
Ref. Flat lengde	22±2mm	32±2mm	22±2mm	32±2mm
Forside polering			Speilpolert 5-15 Å
Lapping på baksiden			0,3-1,0 mm
Flathet (mm)			≤ 15
Bue (mm)			≤ 25

Tekniske parametere

Størrelse	9 X 9 X 25 mm3 eller 4 X 4 X 15 mm3
	Annen størrelse er tilgjengelig på forespørsel
Toleranse av størrelse	Z-akse: ± 0,2 mm
	X-akse og Y-akse:±0,1 mm
Chamfer	mindre enn 0,5 mm ved 45°
Nøyaktighet av orientering	Z-akse: <± 5'
	X-akse og Y-akse: < ± 10'
Parallellisme	< 20"
Fullfør	10/5 ripe/grave
Flathet	λ/8 ved 633 nm
AR-belegg	R < 0,2 % @ 1064 nm
Elektroder	Gull/forkrommet på X-faces
Bølgefrontforvrengning	<λ/4 @ 633 nm
Utryddelsesforhold	> 400:1 @ 633 nm, φ6 mm stråle