Krystallbinding – sammensatt teknologi av laserkrystaller

Kort beskrivelse:

Krystallbinding er en komposittteknologi av laserkrystaller. Siden de fleste optiske krystaller har et høyt smeltepunkt, kreves det vanligvis varmebehandling ved høy temperatur for å fremme gjensidig diffusjon og fusjon av molekyler på overflaten av to krystaller som har gjennomgått presis optisk prosessering, og til slutt danner en mer stabil kjemisk binding. , for å oppnå en ekte kombinasjon, så krystallbindingsteknologien kalles også diffusjonsbindingsteknologi (eller termisk bindingsteknologi).

Forespørsel nå Send e-post til oss

Produktdetaljer

Produktetiketter

Produktbeskrivelse

Betydningen av anvendelsen av bindingsteknologi på laserkrystaller ligger i: 1. Miniatyrisering og integrasjon av laserenheter/-systemer, slik som Nd:YAG/Cr:YAG-binding for produksjon av passive Q-svitsjede mikrobrikkelasere; 2. Forbedring av den termiske stabiliteten til laserstaver Ytelse, slik som YAG/Nd:YAG/YAG (det vil si bundet med ren YAG for å danne den såkalte "endekappen" i begge ender av laserstangen) kan redusere temperaturøkning på endeflaten til Nd:YAG-stangen når den fungerer, hovedsakelig brukt til halvlederpumping Solid-state-lasere og solid-state-lasere som krever drift med høy effekt.
Vårt firmas nåværende hovedprodukter i YAG-serien inkluderer: Nd:YAG og Cr4+:YAG bundne stenger, Nd:YAG bundet med ren YAG i begge ender, Yb:YAG og Cr4+:YAG bundne stenger, etc.; diametre fra Φ3 ~15mm, lengde (tykkelse) fra 0,5~120mm, kan også bearbeides til firkantede strimler eller firkantede ark.
Bonded crystal er et produkt som kombinerer en laserkrystall med ett eller to rene ikke-dopete homogene substratmaterialer gjennom bindingsteknologi for å oppnå en stabil kombinasjon. Eksperimenter viser at bindingskrystaller effektivt kan redusere temperaturen til laserkrystaller og redusere påvirkningen av termisk linseeffekt forårsaket av endeflatedeformasjon.

Funksjoner

● Redusert termisk linsedannelse forårsaket av deformasjon av endeflaten
● Forbedret lys-til-lys konverteringseffektivitet
● Økt motstand mot fotoskadeterskel
● Forbedret laserutgangsstrålekvalitet
● Redusert størrelse

Flathet	<λ/10@632.8nm
Overflatekvalitet	10/5
Parallellisme	<10 buesekunder
Vertikalitet	<5 bueminutter
Chamfer	0,1 mm@45°
Belegglag	AR- eller HR-belegg
Optisk kvalitet	Interferenskanter: ≤ 0,125/tommer Interferenskanter: ≤ 0,125/tommers