fot_bg01

Produkter

AgGaSe2-krystaller — båndkanter ved 0,73 og 18 µm

Kort beskrivelse:

AGSe2 AgGaSe2(AgGa(1-x)InxSe2)-krystaller har båndkanter på 0,73 og 18 µm. Det nyttige transmisjonsområdet (0,9–16 µm) og den brede fasetilpasningskapasiteten gir et utmerket potensial for OPO-applikasjoner når de pumpes av en rekke forskjellige lasere.


Produktdetaljer

Produktetiketter

Produktbeskrivelse

Avstemming innenfor 2,5–12 µm er oppnådd ved pumping med Ho:YLF-laser ved 2,05 µm; samt ikke-kritisk fasetilpasning (NCPM)-operasjon innenfor 1,9–5,5 µm ved pumping ved 1,4–1,55 µm. AgGaSe2 (AgGaSe) har vist seg å være en effektiv frekvensdoblingskrystall for infrarød CO2-laserstråling.
Ved å virke i kombinasjon med kommersielt tilgjengelige synkront pumpede optiske parametriske oscillatorer (SPOPO-er) i femtosekund- og pikosekundregimet, har AgGaSe2-krystaller vist seg å være effektive i ikke-lineær parametrisk nedkonvertering (differansefrekvensgenerering, DGF) i Mid-IR-området. Den ikke-lineære AgGaSe2-krystallen i mid-IR har en av de største fordelene (70 pm2/V2) blant kommersielt tilgjengelige krystaller, som er seks ganger mer enn AGS-ekvivalenten. AgGaSe2 er også å foretrekke fremfor andre mid-IR-krystaller av en rekke spesifikke grunner. AgGaSe2 har for eksempel lavere romlig walk-off og er mindre tilgjengelig for behandling for spesifikke bruksområder (for eksempel vekst- og skjæreretning), selv om den har større ikke-linearitet og tilsvarende transparentitetsområde.

Bruksområder

● Generering av andre harmoniske på CO- og CO2-lasere
● Optisk parametrisk oscillator
● Ulike frekvensgeneratorer til mellominfrarøde områder opptil 17 mkm.
● Frekvensblanding i det midtre IR-området

Grunnleggende egenskaper

Krystallstruktur Tetragonal
Celleparametere a=5,992 Å, c=10,886 Å
Smeltepunkt 851 °C
Tetthet 5,700 g/cm3
Mohs hardhet 3–3,5
Absorpsjonskoeffisient <0,05 cm⁻¹ @ 1,064 µm
<0,02 cm⁻¹ @ 10,6 µm
Relativ dielektrisk konstant
@ 25 MHz
ε11s=10,5
ε11t=12,0
Termisk ekspansjon
Koeffisient
||C: -8,1 x 10⁻⁶ /°C
⊥C: +19,8 x 10⁻⁶ /°C
Termisk konduktivitet 1,0 W/M/°C

  • Tidligere:
  • Neste:

  • Skriv meldingen din her og send den til oss